DMG3N60SCT
製造商產品編號:

DMG3N60SCT

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMG3N60SCT-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
详细描述:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

庫存:

線上報價請求
12888518
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

DMG3N60SCT 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.3A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
354 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
104W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB (Type TH)
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
DMG3N60

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP4NK80Z
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STP4NK80Z-DG
單位價格
0.76
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STP3N80K5
製造商
STMicroelectronics
可用數量
841
部件號碼
STP3N80K5-DG
單位價格
0.59
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IXTP4N80P
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXTP4N80P-DG
單位價格
1.10
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
相關產品
diodes

DMP3017SFGQ-13

MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333

diodes

DMT69M8LFV-7

MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

diodes

BSS138K-7

MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K

diodes

DMJ70H900HJ3

MOSFET N-CH 700V 7A TO251