製造商產品編號:
2N5551
Product Overview
製造商:
Diodes Incorporated
零件編號:
2N5551-DG
描述:
BJT TO92 160V NPN 0.625W 150C
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
庫存:
12883493
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2N5551 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
Diodes Incorporated
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
200 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
160 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
200mV @ 5mA, 50mA
電流 - 集電極截止（最大值）
-
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
625 mW
頻率 - 過渡
300MHz
工作溫度
-
安裝類型
Through Hole
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供應商設備包
TO-92
基本產品編號
2N5551
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
2N5551DICT
2N5551DITB
2N5551CT-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI 認證
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