AOB412L
製造商產品編號:

AOB412L

Product Overview

製造商:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

零件編號:

AOB412L-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO263
详细描述:
N-Channel 100 V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

庫存:

12849179
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

AOB412L 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
包裝
-
系列
SDMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
8.2A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.8V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
3220 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.6W (Ta), 150W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
AOB412

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
800

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRF8010STRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3480
部件號碼
IRF8010STRLPBF-DG
單位價格
1.02
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRF3610STRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
200
部件號碼
IRF3610STRLPBF-DG
單位價格
1.36
替代類型
MFR Recommended
部件編號
SUM60N10-17-E3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
437
部件號碼
SUM60N10-17-E3-DG
單位價格
1.20
替代類型
MFR Recommended
部件編號
HUF75645S3ST
製造商
onsemi
可用數量
25585
部件號碼
HUF75645S3ST-DG
單位價格
1.34
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN016-100BS,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
3321
部件號碼
PSMN016-100BS,118-DG
單位價格
0.64
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
onsemi

FDMA8884

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

alpha-and-omega-semiconductor

AO6424

MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP

onsemi

FQPF9N25CYDTU

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON7408L

MOSFET N-CH 30V 7.5A/20A 8DFN